分离式半导体MMBF4393 N沟道场效应管

型号：MMBF4393 MMBF4393 MMBF4393

厂家：FAIRCHILD

产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：5mA @ 20V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大：-
FET 型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：500mV @ 1nA
输入电容 (Ciss) @ Vds：14pF @ 20V
电阻 - RDS（开）：100 欧姆
安装类型：表面贴装
包装：带卷 (TR)
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大：350mW
其它名称：MMBF4393-NDMMBF4393TR

数量：11500