MOS 晶体管 IRLIB4343PBF IRLIB4343

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产品属性
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型号：IRLIB4343PBF IRLIB4343PBF
品牌：IR
厂家：IRF [International Rectifier]
描述：DIGITAL AUDIO MOSFET
典型关断延迟时间：23 ns
典型接通延迟时间：5.7 ns
典型栅极电荷@Vgs：28 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds：740 pF V @ 50
安装类型：通孔
封装类型：TO-220 Full-Pak
引脚数目：3
工作温度：-40 °C
最大功率耗散：39000 mW
最大栅源电压：±20 V
最大漏源电压：55 V
最大漏源电阻值：0.05
最大连续漏极电流：19 A
最高工作温度：+175 °C
每片芯片元件数目：1
类别：功率 MOSFET
通道模式：增强
通道类型：N
配置：单
高度：9.8mm
标准包装：3,000
封装：TO-220
IRLIB4343PBF
IRLIB4343PBF

备注：这一数字音频HEXFET®是专门为D类音频放大器应用设计的。这个MOSFET采用最新的处理技术来

实现低通态电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管的反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以提高

关键的D类音频放大器的性能因素，如效率， THD和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结温
重复雪崩能力。这些功能结合起来，使这个MOSFET高效，强大和可靠的设备D类音频放大器应用程序。

特点
先进的工艺技术
优化的D类音频关键参数扩增fi er应用
低RDSON为提高效率
低Qg和Qsw为更好的THD和改进效率
低Qrr更好的总谐波失真和较低的EMI
175 ° C的工作结温耐用性
重复雪崩能力的坚固性和可靠性
LEAD -FREE

Features

Advanced Process Technology

Key Parameters Optimized for Class-D Audio

Amplifier Applications

Low RDSON for Improved Efficiency

Low Qg and Qsw for Better THD and Improved

Efficiency

Low Qrr for Better THD and Lower EMI

175°C Operating Junction Temperature for

Ruggedness

Repetitive Avalanche Capability for Robustness and

Reliability

型号/规格

IRLIB4343PBF

品牌/商标

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特征

大功率

供应MOS 晶体管 IRLIB4343PBF IRLIB4343