分离式半导体IRF4905S IRF4905STRLPBF MOS

型号：IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF

厂家：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：42A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 42A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：3500pF @ 25V
功率 - 最大：170W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK
包装：带卷 (TR)

其它名称：IRF4905STRLPBF-NDIRF4905STRLPBFTR

描述： MOSFET, P, 55V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:74A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-74A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:260A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

标准包装：800

数量：11500