场效应管2SJ655 J655 MOSFET P 通道

型号：2SJ655
品牌：三洋
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：136 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
闸电荷(Qg) @ Vgs：41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：2090pF @ 20V
功率 - 最大：2W
安装类型：通孔
标准包装：100
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220ML

包装：散装

Features

• Low ON-resistance.

• 4V drive.

• Ultrahigh-speed switching.

• Motor drive, DC / DC converter.

• Avalanche resistance guarantee.

场效应管2SJ655 J655 MOSFET P 通道

型号/规格

2SJ655

品牌/商标

RENESAS（瑞萨）

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

大功率