供应SI2312BDS-T1-GE3 MOFES

型号：SI2312BDS-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

描述：分立式半导体 MOSFET

场效应管SOT23-3 N通道  20V 3.9A

产品种类：MOSFET

功率耗散：750 mW

上升时间：30 ns

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：35 ns

工厂其它名称：SI2312BDS-GE3

晶体管类型：N通道

最小工作温度：- 55

闸/源击穿电压：+/- 8 V

漏极连续电流：3.9 A

导通电阻：31 mOhms

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT/贴片

供应商标准封装：SOT23

封装类型：Reel/卷盘

汲极/源极击穿电压：20 V

下降时间：30 ns

价格： 面议

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOSFET SI2312BDS-T1-GE3

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