SI7461DP-T1-E3 VISHAY晶体管

SI7461DP-T1-E3 VISHAY晶体管

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7461DP-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
P-Channel 60V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.9W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8