ToshibaMOSFET管TK4A60D

ToshibaMOSFET管TK4A60D

开关稳压器的应用
•低漏源电阻RDS（ON）= 1.7：Ω（典型值
•高正向转移导纳：⎪会员⎪= 2.2（典型值）
•低漏电流IDSS = 10μ一（max）（VDS = 600 V
•增强模式：电压= 2.4至4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
注：在重负载下连续使用（例如高温/电流/电压的应用
温度的显著变化等）可能会导致该产品的可靠性显着降低，甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）是在绝对最大
额定值。评审东芝半导体的可靠性时，请设计适当的可靠性
手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和个人可靠性数据（即
可靠性试验报告和预计失效率等）。
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 π-MOSVII
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.7 欧姆 @ 2A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包