STB12NM50ND ST晶体管

STB12NM50ND ST晶体管

特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用
■开关应用
描述
™MDmesh™FDmesh技术结合
具有内在快速恢复体的特性
二极管。由此产生的产品降低了导通电阻
快速开关换向，
使其特别适合桥接拓扑。
在低硬件要求。
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
封装: Reel
商标: STMicroelectronics
Pd-功率耗散: 100 W
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4 g