STF6N65K3,ST晶体管

STF6N65K3,ST晶体管

特征
■100%雪崩测试
■极其高的dv / dt的能力
■栅极电荷最小化
■极低的固有电容
■提高二极管的反向恢复
特点
■齐纳保护
应用
■开关应用
描述
这些supermesh3™功率MOSFET的
改进的结果应用于
意法半导体的超网™技术，
结合一种新的优化垂直结构。
这些设备拥有极低的导通电阻，
优越的动态性能和
高雪崩能力，使他们适合
对于最苛刻的应用。
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
包装 管件
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 880pF @ 50V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.3 欧姆 @ 2.8A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包