供应VishayMOSFET管SI4425DDY-T1-GE3

供应VishayMOSFET管SI4425DDY-T1-GE3

特征
•卤根据IEC 61249-2-21自由
定义
•®TrenchFET功率MOSFET
•100% RG测试
应用
•负荷开关
-笔记本电脑
-台式电脑
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4425DDY-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
扩展描述 P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 24 周

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2610pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5.7W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.8 毫欧 @ 13A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）