STL7N60M2原装ST晶体管

STL7N60M2原装ST晶体管

特征
极低的栅极电荷
•优良的输出电容（COSS）简介
•100%雪崩测试
•齐纳保护
应用
•开关应用
描述
该器件是一个N沟道功率MOSFET
使用™M2 MDmesh技术开发。
由于其条形布局和改进的垂直
结构，器件具有低导通电阻
优化开关特性，
渲染适合最苛刻的高
效率转换器。
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™
包装 带卷（TR）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 8.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 271pF @ 100V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 4W（Ta）, 67W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.05 欧姆 @ 2A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerFLAT™（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN