IRF3710PBF原装Infineon MOSFET管

IRF3710PBF原装Infineon MOSFET管

先进的工艺技术
超低导通电阻
动态DV / dt等级
175°C工作温度
快速切换
全额定雪崩
无铅
描述
先进的HEXFET功率MOSFET®国际整流器采用
先进的加工技术，实现极低的导通电阻
每硅面积。这种好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备设计的HEXFET功率MOSFET是众所周知的
为设计者提供了一个非常有效和可靠的设备
在各种各样的应用中使用。
在TO - 220封装普遍首选的商业工业
在功耗水平的应用程序约50瓦。低
热电阻和的TO - 220封装成本低有助于其广泛的
全行业接受
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 28A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB