SQ2310ES-T1_GE3,VISHAY晶体管功能

SQ2310ES-T1_GE3,VISHAY晶体管功能

规格
产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.024 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.4 V
Qg-栅极电荷: 8.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
商标: Vishay Semiconductors
配置: 1 N-Channel
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
Pd-功率耗散: 2 W
上升时间: 8 ns
系列: SQ
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 7 ns