STN3P6F6
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
特征
非常低电阻
极低的栅极电荷
雪崩耐用性
低栅极驱动功率损耗
应用
开关应用
描述
该器件是一个P沟道功率MOSFET
使用™F6 STripFET技术开发，
采用新型沟槽闸门结构。由此产生的
功率MOSFET具有非常低的RDS（ON）在所有
包装.
STN3P6F6
ST（意法半导体）
SOT-223-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
4000
