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产品属性
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IRLML6401TRPBF Infineon 晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRLML6401TRPBF
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
超低电阻
P沟道MOSFET
SOT-23足迹
Low Profile(<< 1.1mm)
可在磁带和卷轴
快速切换
1.8v门评
无铅
符合RoHS标准,无卤素
描述
这些P沟道MOSFET国际整流器利用先进
达到硅区极低电阻的处理技术。
这样做的好处,结合开关速度快和坚固耐用的设备
®设计HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供
设计了一种非常高效和可靠的电池使用装置。
负荷管理。
增强型散热垫大引线框架已被纳入
标准SOT-23封装生产的HEXFET功率MOSFET
工业上最小的脚印。这个包,被称为™MICRO3,是理想的
印刷电路板空间溢价的应用。低调
(<< 1.1mm)的MICRO3允许它很容易切成极细的应用
如便携式电子设备和PCMCIA卡的环境。热
电阻和功耗是最好的。
IRLML6401TRPBF
INFINEON(英飞凌)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
3000