SI4599DY-T1-GE3 VISHAY晶体管

SI4599DY-T1-GE3 VISHAY晶体管

制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4599DY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A，5.8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35.5 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 20V
功率 - 最大值 3W，3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）