进口原装TI MOSFET管CSD13381F4规格

进口原装TI MOSFET管CSD13381F4规格

制造商零件编号：
CSD13381F4
制造商:
Texas Instruments
说明：
MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET
封装 / 箱体: Picostar-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhm
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 850 mV
Qg-栅极电荷: 1.06 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
商标名: NexFET
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 3.8 ns
高度: 0.35 mm
长度: 1 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
上升时间: 1.5 ns
系列: CSD13381F4
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 3.7 ns
Applications
Laptop
Tablet
Cell phone
Battery charger
描述
此 140mΩ，12V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化，

以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。

 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

特性
低导通电阻
低 Qg和 Qgd
低阈值电压
超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
1.0mm × 0.6mm
超薄
高度 0.35mm
集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
无铅且无卤素
符合 RoHS 环保标准

应用范围
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
单节电池应用
手持式和移动类应用