SI3430DV-T1-GE3

N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 带卷（TR）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
功率耗散（最大值） 1.14W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 2.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6