Infineon晶体管IRFB3206PBF

Infineon晶体管IRFB3206PBF

应用
高效同步整流
在SMPS
不间断电源
高速功率开关
硬开关高频电路
D2
效益
改进的门，雪崩和动态
dv / dt的耐用性
全特征电容
雪崩SOA
增强型身体光电二极管/ dt和di / dt的能力
无铅
RoHS标准，无卤素
应用程序
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6540pF @ 50V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 75A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3