STM晶体管STP16NF06L

STM晶体管STP16NF06L

描述
这种功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸™“带钢
过程。由此产生的晶体管显示极
高堆积密度低导通电阻，坚固耐用
雪崩特性与临界对准
因此，一个显著的制造步骤
再现性。
应用
■电机控制、音频放大器
■大电流，高速开关
■电磁阀和继电器驱动器
■DC-DC和DC-AC变换器
■汽车环境
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V
Vgs（最大值） ±16V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 8A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3