SIR472DP-T1-GE3,VISHAY晶体管

地区:广东 深圳
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SIR472DP-T1-GE3,VISHAY晶体管

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 820pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.9W(Ta),29.8W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 13.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8

型号/规格

SIR472DP-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY

封装形式

SO-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

包装数量

3000