STF8NK100Z原装ST晶体管

STF8NK100Z原装ST晶体管

一般特征
■极其高的dv / dt的能力
■100%额定雪崩
■改进的ESD能力
■极低的固有电容
描述
这个超级网孔™系列获得通过
ST优化的极端优化
带钢的PowerMESH™布局。除了
推动电阻显著下降，特别
护理是为了确保一个非常好的DV / dt
最苛刻的应用程序的能力。
此类系列补充ST全系列高
包括革命性的电压MOSFET
™MDmesh产品。
应用
■高电流开关应用
■理想离线电源
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 管件
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 102nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2180pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP