SI7465DP-T1-GE3原装VISHAY晶体管

SI7465DP-T1-GE3原装VISHAY晶体管

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 带卷（TR）
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 64 毫欧 @ 5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8