供应STW34NM60N,ST MOSFET管

供应STW34NM60N,ST MOSFET管

特点
雪崩测试100%
•输入容和低门电荷
•低输入电阻栅
应用
•开关应用
description
this device is an n沟道MOSFET电源
利用自主研制的第二代of
mdmesh™科技。这个革命的动力
联合结构在垂直MOSFET to the
S公司是一条全球布局to s of the
在线抵押和门控性。EN is
适用于高demanding therefore for the most
converters效率
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™ II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2722pF @ 100V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 14.5A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3