ST晶体管STF6N62K3规格

ST晶体管STF6N62K3规格

特征
■100%雪崩测试
■极其高的dv / dt的能力
■栅极电荷最小化
■极低的固有电容
■提高二极管的反向恢复
特点
■齐纳保护
应用
■开关应用
描述
这些supermesh3™功率MOSFET的
改进的结果应用于
意法半导体的超网™技术，
结合一种新的优化垂直结构。
这些设备拥有极低的导通电阻，
优越的动态性能和
高雪崩能力，使他们适合
对于最苛刻的应用。
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 620 V
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.28 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.75 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 19 ns
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
Pd-功率耗散: 90 W
上升时间: 12.5 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 4.6 mm