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产品属性
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供应FDB33N25TM,FAIRCHILD晶体管
规格
产品种类: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 120 ns
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
Pd-功率耗散: 235 W
上升时间: 230 ns
系列: FDB33N25
工厂包装数量: 800
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 9.65 mm
FDB33N25TM
FAIRCHILD(飞兆)
TO-263
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装