STF28NM50N,ST晶体管 MOSFET 规格

STF28NM50N,ST晶体管 MOSFET 规格

制造商零件编号：
STF28NM50N
制造商:
STMicroelectronics
说明：
MOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 158 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 50 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 52 ns
Pd-功率耗散: 35 W
上升时间: 19 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 13.6 ns
特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用
■开关应用
描述
这些设备是N沟道功率MOSFET。
使用第二代开发
™MDmesh技术。这一革命性的力量
MOSFET将垂直结构与
公司的带状布局，以获得世界上的一个
电阻和栅极电荷。它是
因此适合最苛刻的高
效率转换器