SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY晶体管 - FET，MOSFET - 单

SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY晶体管 - FET，MOSFET - 单

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 30V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta），1.7W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 345 毫欧 @ 1.25A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3