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产品属性
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供应STB4NK60Z-1原装ST晶体管
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 16.5 ns
高度: 8.95 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 70 W
上升时间: 9.5 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 4.4 mm
STB4NK60Z-1
ST(意法半导体)
TO-262-3
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
1000