ST原装MOSFET管STF13N80K5规格

ST原装MOSFET管STF13N80K5规格

制造商零件编号：
STF13N80K5
制造商:
STMicroelectronics
说明：
MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 370 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 16 ns
Pd-功率耗散: 35 W
上升时间: 16 ns
系列: MDmesh K5
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 330 mg
特征
•全球最好的FOM（优）
•超低门电荷
•100%雪崩测试
•齐纳保护
应用
•开关应用
描述
这些设备是N沟道齐纳保护
功率MOSFET在超网™5实现，一
高电压雪崩
的功率MOSFET技术
创新的专利垂直结构。这个
结果是大大降低了抵抗力。
超低栅电荷的应用
要求高功率密度和高
效率