SPW20N60C3

N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 管件
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2400pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
功率耗散（最大值） 208W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 13.1A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3