IRFR5305TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:31 A
Rds上漏源导通电阻:65毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-血浆甲醛:42 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 P通道
类型:HEXFET功率MOSFET
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:8 S
下降时间:63 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:66 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:39 ns
典型起始延迟时间:14 ns
零件号别名:IRFR5305TRPBF SP001557082
单位重量:4 g
特征

•超低导通电阻
•表面贴装(IRFR5305)
•直引线(IRFU5305)
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET®

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件

设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的

器件,可广泛用于各种应用中。
D-Pak专为使用气相,红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。

 直引线版本(IRFU系列)用于通孔安装应用。 

在典型的表面贴装应用中,功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-31

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-22

IDM

Pulsed Drain Current CD®

-110

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

110

W

 

Linear Derating Factor

0.71

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0®

280

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD®

-16

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

11

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt a>®

-5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFR5305TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装