IRF1010NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：85 A
Rds漏源导通电阻：11毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：120 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：180 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：32 S
下降时间：48 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：76 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：39 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRF1010NSTRLPBF SP001571236
单位重量：4 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
®
先进的HEXFET功率MOSFET
国际整流器公司利用先进的处理技术来实现每个硅面积的极低导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。它提供了
在任何现有的表面贴装封装中，都具有最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散功率高达2.0W。
通孔版本（IRF1010NL）可用于薄型应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V ®	850	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V ®	60
IDM	Pulsed Drain Current CD®	290
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	180	W
	Linear Derating Factor	1.2	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	土 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	43	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	18	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT®	3.6	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF1010NSTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装