单向场效应晶体管

　　产品型号：NCE4009S

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：9A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：40V

　　栅源极阈值电压：2V@250uA

　　漏源导通电阻：16mΩ@8A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：2W(Tc)

　　一般特征：

　　n沟道

　　VDS=40v,ID=9

　　RDS(ON)<16mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<24mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：40V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：9A

　　漏极电流连续(TC=100℃)ID：6.4A

　　脉冲漏极电流：40A

　　最大功耗：2W

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

　　N-CH电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：