产品详情

供应C3M0060065D TO-247-3 mos管N沟道

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市华芯源电子有限公司

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型号：C3M0060065D

型号：C3M0060065D

产品属性 属性值 选择属性

制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品: MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5.21 mm

安装方式：贴片



型号：C3M0060065D

型号：C3M0060065D

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品: MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5.21 mm
安装方式：贴片



产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品: MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 5.21 mm
安装方式：贴片

型号/规格

C3M0060065D

品牌/商标

CREE/科锐

封装形式

TO-247-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

产品种类

碳化硅场效应管(MOSFET）

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Id-连续漏极电流

29 A

Rds On-漏源导通电阻

60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 4 V, + 15 V

Vgs th-栅源极阈值电压

3.6 V

Qg-栅极电荷

46 nC