供应:晶体管 IRFB4020PBF

地区:广东 深圳
认证:

中杰盛科技有限公司

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深圳市中杰盛科技优势供应: IRFB4020PBF: IRFB4020PBF: IRFB4020PBF

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6.3 ns
正向跨导 - 小值: 24 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
包装数量:1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 7.8 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFB4020PBF SP001564028
单位重量: 2 g

型号/规格

IRFB4020PBF

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

制造商

Infineon

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Id-连续漏极电流

18 A