供应晶体管 SI4435FDY-T1-GE3

制造商:  

Vishay  

产品种类:  

MOSFET  

RoHS:  

 详细信息  

技术:  

Si  

安装风格:  

SMD/SMT  

封装 / 箱体:  

SO-8  

通道数量:  

1 Channel  

晶体管极性:  

P-Channel  

Vds-漏源极击穿电压:  

30 V  

Id-连续漏极电流:  

12.6 A  

Rds On-漏源导通电阻:  

30 mOhms  

Vgs th-栅源极阈值电压:  

2.2 V  

Vgs - 栅极-源极电压:  

20 V  

Qg-栅极电荷:  

13.5 nC  

最小工作温度:  

- 55 C  

最大工作温度:  

+ 150 C  

配置:  

Single  

Pd-功率耗散:  

4.8 W  

通道模式:  

Enhancement  

封装:  

Cut Tape  

封装:  

MouseReel  

封装:  

Reel  

晶体管类型:  

1 P-Channel  

商标:  

Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值:  

25 S  

CNHTS:  

8541210000  

下降时间:  

16 ns  

HTS Code:  

8541290095  

MXHTS:  

85411001  

产品类型:  

MOSFET  

上升时间:  

30 ns  

工厂包装数量:  

2500  

子类别:  

MOSFETs  

TARIC:  

8541100000  

典型关闭延迟时间:  

21 ns  

典型接通延迟时间:  

26 ns  

单位重量:  

74 mg