供应IGBT 晶体管 > STGP19NC60KD

地区:广东 深圳
认证:

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产品种类:  IGBT 晶体管   
制造商:  STMicroelectronics   
RoHS:   详细信息  
封装 / 箱体:  TO-220-3   
安装风格:  Through Hole   
配置:  Single   
集电极—发射极最大电压 VCEO:  600 V   
栅极/发射极最大电压:  +/- 20 V   
Pd-功率耗散:  125 W   
最小工作温度:  - 55 C   
最大工作温度:  + 150 C   
系列:  600-650V IGBTs   
封装:  Tube   
商标:  STMicroelectronics  
集电极最大连续电流 Ic:  35 A  
高度:  9.15 mm  
长度:  10.4 mm  
工厂包装数量:  1000  
技术:  Si  
宽度:  4.6 mm  
单位重量:  6 g 
型号/规格

STGP19NC60KD

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

to-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

产品种类

IGBT 晶体管

制造商

STMicroelectronics

封装

TO-220-3

集电极—发射极电压 VCEO

600 V