供应：MOSFET IXYS IXFB170N30P

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: PLUS-264-3

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 300 V

Id-连续漏极电流: 170 A

Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 258 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.25 kW

通道模式: Enhancement

商标名: Polar, HiPerFET

封装: Tube

高度: 26.59 mm  

长度: 20.29 mm  

系列: IXFB170N30  

类型: Polar Power MOSFET HiPerFET  

宽度: 5.31 mm  

商标: IXYS  

正向跨导 - 最小值: 57 S  

下降时间: 16 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 29 ns  

工厂包装数量: 25  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 79 ns  

典型接通延迟时间: 41 ns  

单位重量: 1.600 g

深圳市中杰盛科技有限公司销售： IXFB170N30P