供应：MOSFET STP100N10F7

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 56 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

配置: Single

商标名: STripFET

封装: Tube

产品: Power MOSFET  

系列: STP100N10F7  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 16 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 40 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 46 ns  

典型接通延迟时间: 27 ns  

单位重量: 330 mg

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 56 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

配置: Single

商标名: STripFET

封装: Tube

产品: Power MOSFET  

系列: STP100N10F7  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 16 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 40 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 46 ns  

典型接通延迟时间: 27 ns  

单位重量: 330 mg

深圳市中杰盛科技有限公司优势供应：STP100N10F7