供应：晶体管 IRF7473PBF

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Smps MOSFET  

宽度: 3.9 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 3800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 29 ns  

典型接通延迟时间: 24 ns  

零件号别名: SP001572110  

单位重量: 540 mg

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 6.9 A

Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Smps MOSFET  

宽度: 3.9 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 11 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 3800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 29 ns  

典型接通延迟时间: 24 ns  

零件号别名: SP001572110  

单位重量: 540 mg