MOSFET的分类：N沟道与P沟道区别解析
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为一种核心的电压控制型半导体器件，凭借开关速度快、驱动功率...
日期：2026-01-14
n沟道p沟道怎么区分增强型
在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）中，N沟道和P沟道、增强型与耗尽型的区分是理解其工作原理的关...
日期：2025-08-12
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很...
日期：2024-06-05
MOS/CMOS集成电路N沟道MOS管和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、...
日期：2022-04-22
N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型...
日期：2021-05-27
Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路
器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。 ...
日期：2019-08-13
Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-...
日期：2019-03-11
8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位...
日期：2012-07-20
LTC4446：N沟道MOSFET驱动器
描述 LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V ...
日期：2011-02-21
飞兆N沟道WL-CSP MOSFET延长便携应用电池寿命
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工...
日期：2010-04-01
飞兆半N沟道WL-CSP MOSFET能在便携应用中延长电池寿命
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工...
日期：2010-03-18
安森美推出24款新的30伏、N沟道沟槽MOSFET
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Tren...
日期：2009-10-29
Vishay推出业内导通电阻N沟道MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有业内导通电阻的新款N沟道MOSFET器件---SiR494DP，将该系列...
日期：2009-07-29
Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446
凌力尔特公司(Linear)推出高频、高输入电源电压(100V)MOSFET驱动器LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器...
日期：2008-06-13
VN系列N沟道V-MOS功率场效应管
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
日期：2008-04-23
N沟道结型开关场效应管
表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。 一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数
日期：2008-04-23
CS系列N沟道结型场效应管
CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。 CS系列结型场效应管主要特性参数
日期：2008-04-23
3DJ系列N沟道结型场效应管
3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。 3DJ列场效应管主要特性参数
日期：2008-04-23
安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器
全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，将...
日期：2007-12-18
飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品...
日期：2007-12-14
IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET
国际整流器公司(InternationalRectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFETMOSFET。这些产品适用...
日期：2007-12-13
飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器...
日期：2007-12-07
Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器
Linear推出100V高速同步N沟道3AMOSFET驱动器（时间:2007-12-68:38:23来源：电子设计技术）凌力尔特推出高速...
日期：2007-12-06
飞兆推出80V N沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器...
日期：2007-12-04
Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，...
日期：2007-12-03
Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器
凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率M...
日期：2007-11-28
Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC444
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流...
日期：2007-11-28
Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流...
日期：2007-11-28
飞兆N沟道MOSFET系列产品可提供90％的ESD性能
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护...
日期：2007-11-26
IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET..
国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适...
日期：2007-11-22
