飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC
转换器的初级和次级同步整流
开关电源设计提供良好的整体系统效率。
FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS (on)级别的产品低38%。该器件的低Miller电荷加上低RDS (on) (16m)特性，其品质因数优值(Figure of Merit, FOM = RDS(on)×Qgd)为120。FDS3572的总门电荷在VGS =10V为31nC，有助于降低损秏；低QRR (70nC)也可降低反向恢复损耗；而且其EAS=515mJ的高雪崩性能，可以提高耐用性。这些产品特性再配合小体积的封装，使得FDS3572适合于要求严格的电源设计。
FDS3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥DC/DC转换器电路应用，也可适合初级应用，包括低压电信电源、DC/DC转换器、网络和数据
通信电源、服务器和采用总线转换器拓扑，且支持中间母线结构(IBA)的调压模块(VRM)。在这些应用中，频率通常高达250KHz，而FDS3572极低的Miller电荷可实现快速切换，从而减少动态损耗；至于其超低门电荷则可通过减少驱动器/PWM控制IC的功耗来提高系统效率。
这种先进的器件还可用于同步整流器，以替代DC/DC转换器次边的传统高压肖特基整流器，输出电压为5V至52V。典型的产品应用包括：网络和数据通信DC/DC转换器，以及笔记本电脑的外部AC/DC
适配器。FDS3572的低RDS(on)特性可将传导损耗控制在允许范围内，并提高笔记本电脑AC/DC适配器的功率密度。
订购1,000个FDS3572器件时，单价为1.18美元(仅供参考)，有现货供应，交货期为收到订单后8周内。
