CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短...
日期：2026-09-09
SiC 器件准静态 CV 测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
电容电压（CV）测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段，在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试...
日期：2026-08-26
SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径：用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷
在半导体材料和器件制造过程的分析中，电容 - 电压（C - V）测量是一种极为重要的手段...
日期：2026-08-14
SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解
在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下，SiC 功率模块的结温监测成...
日期：2026-08-03
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用...
日期：2026-07-28
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能...
日期：2026-07-27
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗...
日期：2026-07-24
安森美详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
在电力电子领域，共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）凭借其高耐压、低导通损...
日期：2026-07-21
MPS推出1700V SiC反激控制器HF1070，为高压辅助电源带来高效新方案
MPS芯源系统（NASDAQ：MPWR）近日推出新一代高压离线电源解决方案——HF1070。该器件是一款高度集成的连续...
日期：2026-07-10
高功率密度车载充电器的理想之选：紧凑型 SiC 模块
在当今追求零碳社会的大背景下，交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中，更轻、...
日期：2026-06-30
EliteSiC 栅极驱动器匹配秘籍：关键设计要点深度剖析
本指南聚焦于各类高功率主流应用，旨在为 SiC MOSFET 匹配栅极驱动器提供专业且深入的...
日期：2026-06-11
几十纳米栅氧化层如何制约 SiC MOSFET 可靠性
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核...
日期：2026-05-22
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动...
日期：2025-07-10
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势
在当今电子技术飞速发展的时代，功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作...
日期：2025-06-26
解析 Littelfuse SMFA：非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率...
日期：2025-06-24
深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法
在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功...
日期：2025-06-19
揭秘 SiC 市场新爆点：共源共栅（cascode）结构深度剖析
在 SiC（碳化硅）市场蓬勃发展的当下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬...
日期：2025-06-13
SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、...
日期：2025-05-30
采用 SiC 辅助电源的牵引逆变器功能安全设计
在传动逆变器中，一个低功率辅助电源，通常是反激转换器，起着至关重要的作用，将 400...
日期：2025-05-08
SIC在芯片尺度附近的电动汽车和机车牵引力的可伸缩性
maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊...
日期：2025-04-07
SIC门保护的不对称瞬态电压抑制二极管
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一...
日期：2025-03-27
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失...
日期：2025-03-20
2 KV SIC功率模块变换1500 V系统
由于可靠性，成本和系统级别的价值提高，碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过...
日期：2025-03-14
TDK - 面向紧凑型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供电解决方案
随着人工智能 (AI) 和边缘应用日趋完善和复杂，对处理器、ASIC和FPGA/SoC的计算能力和...
日期：2025-02-27
基于SIC的电子融合与传统保险丝
传统保险丝是一种单使用设备，需要在清除故障后更换。因此，指定保险丝仅在持续的高电...
日期：2025-02-21
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储...
日期：2025-02-14
设计高压SIC的电池断开开关
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力...
日期：2025-02-12
基于 SiC 的三相电机驱动开发和验证套件
基于 SiC 器件的电机驱动 工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如...
日期：2025-01-16
系统解决方案：“用于工业电机驱动的SiC逆变器”
这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并最终影响功率器件、无源组件、冷却技术...
日期：2025-01-03
利用 SiC 和 GaN 电源满足 AI 需求
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 ...
日期：2025-01-02
