MOSFET 的小信号特性在模拟 IC 设计的作用
什么是小信号分析？ 当我们说“小信号”时，我们到底是什么意思？为了定义这一点，...
日期：2024-01-15
MOS 管的四种类型
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电...
日期：2024-01-15
SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体...
日期：2024-01-08
CMOS 触发器：JK、D 和 T 型触发器
JK 触发器 以下讨论假设正逻辑 - 具有高电平有效输入的逻辑 1。 字母 J 和 K 来...
日期：2024-01-04
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，...
日期：2023-12-25
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车...
日期：2023-12-15
MOS非理想性对VLSI电路可靠性的影响
在非常小的晶体管中，栅极氧化物可能只有几个原子厚。虽然这使得器件小型化，但也会由...
日期：2023-11-30
基本 MOSFET 恒流源
恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位，然后它们似乎或多或少消失了。。。除...
日期：2023-11-22
冷却 MOSFET 以实现动态系统的最佳性能
MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动...
日期：2023-11-10
具有单片 CMOS 读出功能的晶圆级 GFET 生物传感器阵列
为了消除多分析物诊断 ELISA 方法的缺点，通过使用具有集成互补金属氧化物半导体 ( CM...
日期：2023-11-10
了解短沟道 MOS 晶体管中的漏电流分量
日期：2023-11-08
了解 MOSFET 通态漏源电阻
分立 MOSFET 数据表中最重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS ...
日期：2023-11-02
模拟 IC 设计的 MOSFET 结构和操作
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件，由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) ...
日期：2023-11-02
IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动...
日期：2023-10-10
功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...
日期：2023-10-10
MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关...
日期：2023-10-08
功率 MOSFET、其电气特性定义
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...
日期：2023-09-20
适用于热插拔应用的具有最低导通电阻的高效 MOSFET
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生...
日期：2023-09-15
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路...
日期：2023-09-05
功率 MOSFET 数据表参数定义
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定...
日期：2023-08-30
高电流 MOSFET：电源设计的必需品
在当今的汽车和工业电子领域，低压 MOSFET (<100 V) 对高功率的需求不断增加。电机驱动等应用现在需要千...
日期：2023-08-11
高性能 SiC MOSFET 技术装置设计理念
合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和...
日期：2023-08-08
MOSFET 的符号
BJT 仍在使用，但晶体管领域目前由 MOSFET 主导。这些是场效应晶体管 (FET)，在导电控制端子（称为栅极）和...
日期：2023-07-21
MOS 晶体管结构
MOS晶体管结构由金属、氧化物和半导体结构（因此，MOS）组成。 考虑具有 p 衬底和 ...
日期：2023-07-07
基于 MOSFET 的电平转换
双向电平转换必须在两个方向上进行。最简单的方法使用 MOSFET，如图 3 所示，并在应用...
日期：2023-06-20
使用 MOSFET 作为开关的示例
在此电路布置中，增强型 N 沟道 MOSFET 用于将简单的灯“打开”和“关闭”（也可以是 ...
日期：2023-06-20
开关电源MOS管的工作损耗计算
耗计算式计算： × RDS(on) × K × 截止损耗计算： × IDSS ×（ 1-Don ） 会依 VDS(off) 变...
日期：2023-06-15
如何在电源上选择MOS管
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电...
日期：2023-06-15
如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？
早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机，行驶里程较为有限。为了延长行驶里程，...
日期：2023-06-14
MOSFET 对构成简单的 SPDT 开关
使用 n 和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松实现单刀双掷 (SPDT) 开关来隔离电路的一部分，...
日期：2023-06-13
