使用高置信度 MOSFET 的基于模型的电源转换器设计
设计电源转换器时，仿真模型可用于帮助权衡多种设计标准。有源器件的基于开关的简单模...
日期：2024-10-18
利用沟槽 MOS 结构改善反向恢复时间
肖特基势垒二极管 (SBD) 具有几个区别于 pn 结二极管的关键特性。首先是它们的构造方...
日期：2024-10-10
Excelpoint - 一文了解SiC MOS的应用
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容...
日期：2024-08-27
模拟 IC 设计中的 MOSFET 非理想性
我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因...
日期：2024-08-13
SiC MOSFET的栅极应力测试
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电...
日期：2024-08-06
VMOS场效管的检测
1.用指针式万用表检测 判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两...
日期：2024-06-19
在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主...
日期：2024-06-14
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS...
日期：2024-06-11
CMOS 工艺节点设计
在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存...
日期：2024-06-06
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很...
日期：2024-06-05
Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有...
日期：2024-05-31
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，...
日期：2024-05-24
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为...
日期：2024-05-24
pmos管的工作原理
PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应晶体管（FET），其工作原理如下： PM...
日期：2024-05-20
模拟 CMOS 逆变器的开关功耗
我们不会进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍 SPICE 仿真，以帮助您更...
日期：2024-05-20
CMOS 逆变器的功耗
CMOS 反相器的发展为集成电路提供了基本功能，是技术史上的一个转折点。该逻辑电路突...
日期：2024-05-16
什么是MOS管？NMOS、PMOS和三极管的区别
MOS管是一种场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET），其名称源自金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Sem...
日期：2024-04-30
MOSFET 开关损耗简介
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流...
日期：2024-04-29
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功...
日期：2024-04-26
采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护...
日期：2024-04-26
BiCMOS 运算放大器的知识
BiCMOS 逻辑系列 BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了...
日期：2024-04-16
使用逻辑信号、交流耦合和接地栅极驱动 CMOS 图腾柱
尽管大规模集成在当代电子设计中无处不在，但经典 CMOS 图腾柱拓扑中的分立 MOSFET 有...
日期：2024-04-10
功率 MOSFET 特性双脉冲测试
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有...
日期：2024-03-07
MOSFET工作原理和特点
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用...
日期：2024-03-04
MOSFET 共源放大器的频率响应
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适...
日期：2024-02-29
MOSFET共源放大器简介
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种...
日期：2024-02-22
MOS管的四种类型
1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟...
日期：2024-02-20
MOS开关设计
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1...
日期：2024-01-23
什么是耗尽型 MOSFET？
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器...
日期：2024-01-18
续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响
两种损失 原则上，功率半导体有两种损耗：通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断...
日期：2024-01-17
