赛灵思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解决方案
赛灵思(Xilinx)宣布，推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2参考设计。据称，该参考设计提供了FPGA业界带宽最...
日期：2007-12-12
ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM
IntegratedSiliconSolution公司(ISSI)日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为...
日期：2007-12-12
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载，每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列...
日期：2007-12-11
Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM，每秒处理11.6GB数据
HynixSemiconductor公司日前宣布推出据称是世界上速度最快、密度最高的图形存储器——512Mb容量的第四代图...
日期：2007-12-11
赛普拉斯推出QDRII+和DDRII+ SRAM器件
赛普拉斯半导体公司推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+(DDRII+)SRAM器件。这些存储器芯片是...
日期：2007-12-11
赛普拉斯推出首款QDRII+/DDRII+ SRAM器件，带宽翻倍
赛普拉斯半导体公司(CYPRESSSemiconducot)推出业界首款四数据速率II+(QDRII+)和双数据速率II+(DDRII+)SRAM...
日期：2007-12-11
Micron高密度DDR2 FB-DIMM通过INTEL验证
MICRON推出密度在512M字节至4G之间的FB-DIMM，可扩展到PC2-5300，已经通过英特尔验证。JEDEC和英特尔联合开...
日期：2007-12-11
飞利浦新型DDR2寄存器优化DIMM负载 每模块提供多达36个DRAM
飞利浦(Philips)日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。该系列...
日期：2007-12-07
FCI的DDR2连接器便于PC及服务器内存扩展
FCI开发出一款垂直存储插槽系列，可接受标准的双数据率(DDR2)内存模块组装，从而实现桌面PC和服务器的内存...
日期：2007-12-07
W3EG2128M72AFSR:2GB DDR SDRAM（图）
White电子设计公司推出带PLL的2GBDDRSDRAM基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512MbDDRS...
日期：2007-12-07
Samsung推出512Mb GDDR3存储器（图）
Samsung推出业界首个512MbGDDR3存储器样品,它是用于图像卡以及电子游戏控制台的最先进双数据速率同步DRAM....
日期：2007-12-07
Philips推出DDR2模块用高速寄存器
皇家飞利浦电子公司（NYSE交易代号：PHG，AEX交易代号：PHI）日前针对高端服务器及先进计算的存储密集型应...
日期：2007-12-07
美信的MAX8632评估板用于DDR电源方案设计
美信(MAXIM)发布MAX8632评估板(EVkit)，是为评估适用于笔记本电脑、台式计算机和图形卡的MAX8632DDR电源方...
日期：2007-12-07
Intersil同步降压控制器效率达95％ 适用于DDR2存储器电源
Intersil公司近日推出效率达95%的同步降压控制器，扩展了其原有的电源管理产品系列。ISL88550A具有的综合特...
日期：2007-12-07
OCZ首发X38芯片组专用DDR3超频内存
OCZ公司今天正式发布了他们的OCZDDR3PC3-12800IntelXMPReadyTitaniumEdition内存产品，成为业界首款支持Int...
日期：2007-12-07
韩国三星电子开发出512MB DDR3显示内存
联合通讯社汉城12月9日电据三星电子9日称，在世界上率先开发出每秒运行速度为1.6Gbps的512MBDDR3显示内存。...
日期：2007-12-06
奇梦达推出DDR366移动RAM
奇梦达推出DDR366移动RAM——业界首款性能高达183兆赫的移动RAM，满足移动应用不断增...
日期：2007-12-06
支持Altera Stratix II的DDR2 SDRAM接口开始提供
Altera与NorthwestLogic宣布为Altera的高密度StratixII与StratixIIGXFPGA，提供经过硬件验证的667-MbpsDDR2...
日期：2007-12-06
三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片
韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片...
日期：2007-12-05
Elpida的256Mb DDR2 SDRAM速率高达800Mbps
Elpida公司近日发布了面向高端PC市场设计的，工作速率高达800Mbps的256Mb DDR2 SDRAM的样品。这种DDR2 SDRA...
日期：2007-12-04
C&D可编程POL转换器支持DDR2存储器大电流供电应用
C&D Technologies公司发布新款非隔离负载点(POL)转换器——VCN75-018V，它是为计算机DDR2存储器的供电...
日期：2007-12-04
ARM发布90纳米工艺DDR1/2存储器接口IP
ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocityDDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺...
日期：2007-12-03
ATP发布8GB DDR2 RDIMM高质量内存模块
内存及闪存制造商ATPElectronics,Inc.推出了最新的8GBDDR2RDIMM内存产品，这是一款带有寄存器的服务器内存...
日期：2007-12-03
DDR3为存储器应用带来新的技术优势
主流存储器从FPM和EDO到SDR和DDR，再到DDR2 ，这种发展带来了先进的架构、更高的密度、更快的速度、更低的...
日期：2007-11-30
美光Aspen Memory打造低功耗DDR2模块
美光科技公司推出了其最新AspenMemory系列的节能产品，它是一款以RCC（reducedchipcount）存储模块构成的低...
日期：2007-11-28
凌特双输出同步稳压控制器用于DDR/QDR终端
凌特公司(LinearTechnology)推出用于DDR/QDR存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器——LTC37...
日期：2007-11-27
奇梦达GDDR5内存产品开始送样
奇梦达公司(Qimonda)宣布推出GDDR5内存样品，已开始向客户供应首款512MbGDDR5(GraphicsDoubleDataRate5)的...
日期：2007-11-26
三星667Mbps DDR2 DRAM优化单核及双核处理器性能
三星电子的667Mbps双倍数据率2(DDR2)DRAM存储器带宽比目前市场上最快的主存储器还宽25%。这款667Mbps双倍数...
日期：2007-11-26
Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用
海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作带宽为5Gbps，32位I/O通道，数据...
日期：2007-11-26
WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB DDR SDRAM
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MBDDRSDRAM。这是一款2×32M×64...
日期：2007-11-26
