ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解决方案包括多组可编程ODT( on-die termination)和输出驱动阻抗控制(output driver impedance control),所有的端头在使用ARM先进的动态校准器电路的情况下能够获得很高的阻抗。这些特性提高了整体信号的完整性,并且加快高速系统设计的开发周期。90纳米Velocity DDR1/2存储器接口提供适宜的解决方案,为需要用到SDRAM的众多应用(例如主流台式电脑、网络设施和服务器)提供可调整的功耗和性能。这些可用于DDR1和DDR2的双倍数据速度解决方案可以达800Mbps的数据速度运行,并实现了SDRAM组建和存储器控制器之间的所有接口。
Velocity DDR1/2存储器接口解决方案通过TSMC IP质量体现了ARM物理IP的高质量,同时为我们共同的客户提供了一个可信任的SoC解决方案。
供货情况
基于TSMC 90纳米工艺的ARM Velocity DDR1/2存储器接口解决方案现已供货。
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