留给DDR2芯片的“蜜月期”只剩6个月
据摩根斯坦利公司的分析师FrankWang称，DDR2芯片的价格未来将继续上涨，并很有可能会超过DDR3芯片的售价，...
日期：2009-10-09
在DDR3 SDRAM存储器接口中使用调平技术
引言 DDR3 SDRAM存储器体系结构提高了带宽，总线速率达到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1...
日期：2009-09-16
DDR SDRAM基本原理详细介绍
DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDRSDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而...
日期：2009-09-01
美光推出业内DDR3低负载双列直插内存模块（LRDIMM）
美光科技股份有限公司近日宣布生产出业内首个DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)，并将于今年秋季开始推出...
日期：2009-08-04
泰克推出第三代经过验证的DDR分析软件产品
的测试、测量和监测仪器提供商--泰克公司日前宣布，为DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列...
日期：2009-07-11
DDR SDRAM的写操作
DDR SDRAM的写操作如图所示。仍然是与同步DRAM相同，瞪着ACT指令的发出而发出WRITE指令。但DDR－SDRAM数据...
日期：2008-11-21
DDR－SDRAM的操作
DDR SDRAM的读操作如图所示。发出ACT指令后，只经过tRCD时间后发出所要进行的READ指令，这一流程是与同步DR...
日期：2008-11-21
DDR－SDRAM的信号
DDR SDRAM的信号例如图1所示，在这里，作为4M×16位×4块结构的256M位的DDR SDRAM，我们以ELPIDA公司（NEO...
日期：2008-11-21
嵌入式DDR息线的布线分析与设计
引 言 嵌入式DDR(Double Data Rate，双数据速率)设计是含DDR的嵌入式硬件设计中最...
日期：2008-10-21
实际应用的DDR时序
接下来我们会一步步地生成输入偏移约束，以便读者容易理解。图1描述了上升数据的时序，假定周期参数为5ns，...
日期：2008-09-16
TI推出TPS51200新一代3A DDR终端稳压器（图）
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端...
日期：2008-08-28
存储器的地址线（Address Line）数据线（Data Line）和存储体（Bank）
1.BANK计算公式可表示为： BANK数＝颗粒数×位宽/64bit 下面来看看INTEL各芯片组对于内存的支持（资料来...
日期：2008-08-18
FuturePlus为泰克逻辑分析仪推出高速DDR3插补器
FuturePlusSystems公司日前为下一代双倍数据速率(DDR)SDRAM总线推出FS2355DDR31333插补器预处理器。这款世...
日期：2008-08-15
嵌入式DDR总线的布线分析与设计
引言嵌入式DDR(DoubleDataRate，双数据速率)设计是含DDR的嵌入式硬件设计中最重要和最核心的部分。随着嵌入...
日期：2008-08-14
TI推出新一代 3A DDR 端接稳压器TPS51200
TI宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率(DD...
日期：2008-08-11
TI推出TPS51200新一代3A DDR终端稳压器
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极/源...
日期：2008-08-08
泰克为下一代DDR3存储器推出最完善的系列测试工具
全球领先的测试、测量和监测仪器提供商泰克公司日前宣布，为DDR2和DDR3技术推出完善的系列测试工具。DDR3是...
日期：2008-06-04
WEDC推出面向处理器的2Gb DDR SDRAM多芯片封装
WhiteElectronicDesigns公司(WEDC)宣布推出一款容量为2Gb的32M×72DDRSDRAM。作为WEDC高密度双倍数据率(DDR...
日期：2008-06-02
Altera 支持JEDEC DDR3 SDRAM标准的FPGA
Altera公司宣布，第一个在FPGA业界实现了对高性能DDR3存储器接口的全面支持。在最近通过的JESD79-3JEDECDDR...
日期：2008-06-02
奇梦达推出省电高效能内存DDR3 SO-DIMMs
奇梦达公司(QimondaAG)宣布其DDR3SO-DIMMs已通过验证，适用于即将上市的英特尔移动45E...
日期：2008-05-21
PMC-Sierra新推1.8 GHz主频双CPU核 64位MIPS-Powered多处理器和DDR2
PMC-Sierra公司在的秋季处理器论坛（FallProcessorForum）上发布了其第三代高集成64位MIPS-Powered多处理器...
日期：2007-12-24
FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计
DDR3SDRAM内存的总线速率达到600Mbpsto1.6Gbps(300to800MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbi...
日期：2007-12-21
Stratix III FPGA性能达到533-MHz DDR3接口标准
Altera宣布，StratixIIIFPGA的DDR3存储器接口速率超过1067Mbps。更宽的存储器带宽支持新的通信、计算和视频...
日期：2007-12-19
三星新开发出70nm工艺DDR2 SDRam存储芯片
三星电子公司宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512MbDDR2SDRam存储芯片，这也是目前存储...
日期：2007-12-18
凌特推出用于 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器
凌特公司（LinearTechnology）推出用于DDR/QDR存储器终端应用的两相、双输出同步降压开关稳压控制器LTC3776...
日期：2007-12-18
安森美半导体推出新款DDR内存电源控制器
安森美半导体(ONSemiconductor)公司宣布拓展其电脑电源产品线，推出新款DDR内存电源控制器——NCP5214。新...
日期：2007-12-18
Altera宣布Stratix® III FPGA的DDR3存储器接口速率超过1067 Mbps
Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存储器接口速率超过1067 Mbps，存储器性...
日期：2007-12-18
DDR2逼近变动成本 预计价格反弹近期可待
上周(11/26-12/3)现货市场仍延续近期的价格走势，DDR2512MbeTT颗粒虽然小幅下跌，但已有支持的力道出现，收...
日期：2007-12-15
三星推出高速GDDR4显存芯片 速度可达4Gbps
据国外媒体报道，三星电子公司正在采用一种更先进的生产方法，以推动图形内存芯片达到更高速度。全球最大芯...
日期：2007-12-13
ISSI针对DDR2模块应用推出电可擦除串行EEPROM
IntegratedSiliconSolution推出2KBit串行EEPROM专为DDR2内存模块应用的高性能芯片。IS34C02B是ISSI推出的又...
日期：2007-12-12
