加速度计不移动时输出什么？零重力偏差
零重力偏置水平指定设备未施加加速度时的传感器输出电压。 加速度计的实...
日期：2023-11-09阅读：904
MEMS 加速度计频率响应和带宽规格
MEMS 加速度计由几个不同的机械和电气元件组成。这些组件中的每一个都对整...
日期：2023-11-07阅读：1402
硅光电倍增管 (SiPM) 结构、特性和应用
硅光电倍增管 (SiPM) 是一种固态高增益辐射探测器，可在吸收光子时产生输出...
日期：2023-11-03阅读：1975
不同光电二极管技术的特点
在本文中，我们将讨论一些不同类型的光电二极管技术以及用于制造它们的半导体（即硅）的优缺点 ...
日期：2023-10-26阅读：1143
单通道激光二极管驱动器
ISL58214 是一款高度集成的激光二极管驱动器，旨在支持激光束扫描 MEMS 投...
日期：2023-10-19阅读：1024
增强型 GaN 晶体管的电气特性
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性...
日期：2023-10-17阅读：1045
IGBT 应用笔记
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例...
日期：2023-10-13阅读：1347
反激变压器构造指南
本应用笔记是适合与 TOPSwitch 一起使用的边绕或三重绝缘线绕反激变压器的设计和构造指南。附录 ...
日期：2023-10-12阅读：684
IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题...
日期：2023-10-10阅读：1142
新型 GaAs 功率肖特基二极管的电气行为
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损...
日期：2023-10-10阅读：1042
功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFE...
日期：2023-10-10阅读：460
MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频...
日期：2023-10-08阅读：797
半导体功率器件的无铅回流焊
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的...
日期：2023-09-27阅读：742
设计晶体振荡器
本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域最广泛使用的材...
日期：2023-09-25阅读：847
MLCC 改造，电容更高，尺寸更小
多层陶瓷电容器 (MLCC) 被广泛视为一种成熟的组件，正在经历设计和结构的快速改造，以便有效地服...
日期：2023-09-21阅读：923
功率 MOSFET、其电气特性定义
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFE...
日期：2023-09-20阅读：588
小型高压转换器？
从低输入电压产生高输出电压是小尺寸电源装置为小工具甚至高功耗机器供电的...
日期：2023-09-20阅读：516
电容器的特性
电容器的特性 电容器的等效电路模型如图 1 所示。主要元件电容具有与其并联的漏电阻，以表示...
日期：2023-09-15阅读：1455
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。 这些简单 IC（品牌为“Thermoflag...
日期：2023-09-15阅读：606
电压调节器及其相应的规格
MS Kennedy 提供多种电压调节器，可用于许多不同的应用。尽管每个产品线都有自己的优点，但它们...
日期：2023-09-14阅读：1405
GaAs 注入模式肖特基二极管
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从...
日期：2023-09-06阅读：1283
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想...
日期：2023-09-06阅读：641
具有反向阻断功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流...
日期：2023-08-31阅读：638
功率 MOSFET 数据表参数定义
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了...
日期：2023-08-31阅读：524
偏置电阻应该怎样进行计算？
运算放大器在输入为0V的时候，输出不一定为0V，可能几十uV到几mv，这个叫做运算放大器的直流偏置...
日期：2023-08-31阅读：339
一文带你了解IGBT开关过程
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的...
日期：2023-08-31阅读：531
肖特基二极管是如何进行反向恢复的
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒...
日期：2023-08-31阅读：402
Y电容容量为什么不能太大呢？
Y电容 Y电容是安规电容的一种，安规电容是指用于这样的场合：即电容器失效后，不会导致电击也...
日期：2023-08-31阅读：282
晶振选型设计必须重视的地方
几乎所有使用MCU的产品，外围电路都离不开晶振电路设计，大多数电子设计人员从入门开始都会接触...
日期：2023-08-31阅读：281
MOS管被击穿的原因及解决方案
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—...
日期：2023-08-31阅读：303
